DMP65H11D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
DMP65H11D0HSS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SO
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
ВГС (Макс)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
600 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
11Ohm @ 270mA, 10V
