DMP68D1LFB-7B
DIODE
DMP68D1LFB-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 5 V
Пакет/кейс：
3-UFDFN
Пакет устройств поставщика：
X1-DFN1006-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
65 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8Ohm @ 100mA, 5V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
215mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
42 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
700mW
