DMPH33M8SPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
DMPH33M8SPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
100A (Tc)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
127 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
3.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3775 pF @ 15 V
