DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
DMT10H009LCG-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
V-DFN3333-8 (Type B)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20.2 nC @ 4.5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
12.4A (Ta), 47A (Tc)
