DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H009LK3-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика：
TO-252 (DPAK)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
90A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
