DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT10H009SCG-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
V-DFN3333-8 (Type B)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
14A (Ta), 48A (Tc)
