DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT10H010LSSQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SO
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
12A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4166 pF @ 50 V
