DMT10H032LDV-13
MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
DMT10H032LDV-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
18A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Мощность - Макс.：
1W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
11.9nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
683pF @ 50V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
36mOhm @ 10A, 10V
