DMT10H032SFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H032SFVW-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
35A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
544 pF @ 50 V
