DMT10H072LDV-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H072LDV-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
12A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100V
Конфигурация：
2 N-Channel
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
4.5nC @ 10V
Мощность - Макс.：
1W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
66mOhm @ 4.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
228pF @ 50V
