DMT10H072LFV-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMT10H072LFV-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
62mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
