DMT10H075LE-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
DMT10H075LE-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
SOT-223-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
