DMT10H9M9LCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT10H9M9LCT Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-220-3
Пакет устройств поставщика：
TO-220-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
101A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 156W (Tc)
