DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
DMT12H060LFDF-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.4A (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
115 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 50 V
