DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMT12H065LFDF-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±12V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
115 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
3V, 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
252 pF @ 50 V
