DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
DMT12H090LFDF4-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
3.4A (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
115 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
3V, 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
251 pF @ 50 V
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN2020-6
Пакет/кейс：
6-PowerXDFN
