DMT15H067SSS-13
MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
DMT15H067SSS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SO
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6.4 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
67mOhm @ 4.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
425 pF @ 75 V
