DMT3020LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT3020LFDFQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 9A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
8.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
393 pF @ 15 V
