DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMT32M4LPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
100A (Tc)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 1mA
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3944 pF @ 15 V
