DMT35M4LFDF-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT35M4LFDF-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
13A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.9 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
860mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1009 pF @ 15 V
