DMT35M8LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
DMT35M8LDG-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (Type G)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
17A (Ta), 15.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Мощность - Макс.：
980mW (Ta), 2W (Tc)
