DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
DMT47M2LDVQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
40V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
14nC @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
10.8mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
891pF @ 20V
Мощность - Макс.：
2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
