DMT6011LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50
DMT6011LPDW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 10A, 10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
22.2nC @ 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10.3A (Ta), 40A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1072pF @ 30V
Мощность - Макс.：
2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
