DMT6015LFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMT6015LFVW-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
ВГС (Макс)：
±16V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 10A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10A (Ta), 31.8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
808 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 28.4W (Tc)
