DMT6017LFDF-7
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
DMT6017LFDF-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
ВГС (Макс)：
±16V
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.3 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
65 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
891 pF @ 30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
8.1A (Ta)
