DMT6030LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
DMT6030LFDF-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
6.8A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9.1 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
25.5mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
639 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
860mW (Ta), 9.62W (Tc)
