DMT63M6LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT63M6LPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
96A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
