DMT64M1LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M1LCG-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
5.4mOhm @ 20A, 10V
Пакет устройств поставщика：
V-DFN3333-8 (Type B)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
65 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
51.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2626 pF @ 30 V
