DMT69M5LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT69M5LCG-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1406 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.37W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
V-DFN3333-8 (Type B)
