DMT69M9LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 11A/44A PWRDI50
DMT69M9LPDW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
12.5mOhm @ 20A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
33.5nC @ 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11A (Ta), 44A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
2212pF @ 30V
Мощность - Макс.：
2.5W (Ta), 40.3W (Tc)
