DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT8008SCT Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
TO-220-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
111A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
7.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta), 167W (Tc)
