DMT8008SPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
DMT8008SPS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
83A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta), 83W (Tc)
