DMTH10H009LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFGQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет устройств поставщика：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
12A (Ta), 46A (Tc)
