DMTH10H015LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H015LPSWQ-13 Specifications
Оценка：
Automotive
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 20A, 10V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1871 pF @ 50 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11A (Ta), 44A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 46W (Tc)
