DMTH10H025LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H025LPSWQ-13 Specifications
Оценка：
Automotive
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
21 nC @ 10 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
9.3A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1477 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 79W (Tc)
