DMTH10H032LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMTH10H032LFVW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 10A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
26A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683 pF @ 50 V
