DMTH10H032LPDW-13
MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
DMTH10H032LPDW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
24A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100V
Конфигурация：
2 N-Channel
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
11.9nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
683pF @ 50V
Мощность - Макс.：
3W (Ta), 37W (Tc)
