DMTH10H1M7STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerSFN
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
2mOhm @ 30A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
250A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
POWERDI1012-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
147 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
6W (Ta), 250W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
9871 pF @ 50 V
