DMTH10H4M6SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H4M6SPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4327 pF @ 50 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
21A (Ta), 115A (Tc)
