DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
DMTH12H007SK3-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
TO-252 (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
120 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
86A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
