DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMTH12H007SPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
120 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
84A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
Power Dissipation (Max)：
3.5W
