DMTH15H017SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMTH15H017SPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
150 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
8V, 10V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
19mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11A (Ta), 61A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2344 pF @ 75 V
