DMTH31M7LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMTH31M7LPSQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
30A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5741 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta), 113W (Tc)
