DMTH41M8SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
DMTH41M8SPSQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
40 V
ВГС (Макс)：
±20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type K)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.8mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6968 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
3.03W
