DMTH42M4SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH42M4SPS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
40 V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type K)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
200A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
79.5 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
2.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6968 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
3.06W (Ta), 150W (Tc)
