DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMTH4M70SPGWQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
40 V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
SOT-1235
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
460A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
0.7mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10053 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI8080-5
