DMTH6006LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
DMTH6006LPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 20A, 10V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
17.2A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2162 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.88W (Ta), 100W (Tc)
