DMTH6009LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH6009LPSWQ-13 Specifications
Оценка：
Automotive
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
ВГС (Макс)：
±16V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 136W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
