DMTH6010SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMTH6010SPS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
8mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
13.5A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.6W (Ta), 167W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
38.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2841 pF @ 30 V
