DMTH63M6LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH63M6LPSWQ-13 Specifications
Оценка：
Automotive
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
105A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.3W (Ta), 84.7W (Tc)
